紫光國芯DRAM芯片技術達到世界先進水平
2018-01-24 16:06:01
現(xiàn)在中國存儲產(chǎn)業(yè)正在急速的崛起，紫光國芯更是一大主力軍，據(jù)了解紫光國芯的DRAM芯片設計技術已經(jīng)是處于世界先進水平，但是產(chǎn)量目前還是很小，市場份額還有待提升。
紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹，DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。
同時，關于公司在國內業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設計技術處于世界先進水平，國內稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場份額較小。
1月26日紫光國芯在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶圓的制造能力，公司會考慮與其合作。
本文關鍵詞：
DRAM
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