富士通和松下正在聯(lián)合加大研發(fā)力度，投入開發(fā)第二代 ReRAM 器件。另外，Crossbar 正在嘗試生產(chǎn)一種 40nm ReRAM 技術(shù)，現(xiàn)在是由中國的中芯國際（SMIC）的晶圓廠代工生產(chǎn)。臺積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）也毫不示弱，最近也已經(jīng)將 ReRAM 納入了自己的發(fā)展計劃中來，預(yù)計將在明年的時候為自己的客戶開發(fā)這項技術(shù)。

多年以來，人們一直在吹噓 ReRAM，說它是 NAND 等傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的替代者，但 ReRAM 的開發(fā)難度大到難以想象。并且，NAND 也比之前所預(yù)測的發(fā)展得更長久，以至于很多公司暫緩甚至放棄了ReRAM的 開發(fā)。

然而并不是所有芯片制造商都支持 ReRAM。GlobalFoundries 等一些公司對 ReRAM 技術(shù)就沒有那么熱衷，反而正在開發(fā)不同類型的下一代內(nèi)存技術(shù)。

與閃存相比，ReRAM 的優(yōu)勢是讀取延遲更低且寫入速度更快。在傳統(tǒng)內(nèi)存中，數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲。在 ReRAM 中，會有一個電壓被應(yīng)用于一種堆疊的材料，繼而導(dǎo)致電阻變化，這種變化可以在內(nèi)存中記錄數(shù)據(jù)（0 和 1）。

盡管ReRAM具備不少優(yōu)良屬性，但目前為止出貨 ReRAM 的公司只有幾家。其它公司還在克服困難、迎難而上，因為 ReRAM 技術(shù)在物理方面十分困難。而且在一些案例中，ReRAM 的性能和可靠性也沒有達(dá)到人們的期待值。

ReRAM 不會取代 NAND 或其它內(nèi)存，但它會找到合適的定位，尤其是在嵌入式內(nèi)存應(yīng)用領(lǐng)域。聯(lián)電嵌入式非易失性內(nèi)存助理副總裁 Yau Kae Sheu 說：“ReRAM 是一種針對成本敏感型應(yīng)用的解決方案，比如可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。ReRAM 很適合一些低端的 MCU 和內(nèi)存密度要求更低的消費級產(chǎn)品。”

但對于未來應(yīng)用，ReRAM 等一些下一代內(nèi)存技術(shù)的目標(biāo)是所謂的存儲級內(nèi)存（storage-class memory）市場。多年以來，內(nèi)存行業(yè)一直在尋找一種新的內(nèi)存類型，即存儲級內(nèi)存。這種內(nèi)存可以用在系統(tǒng)的主內(nèi)存（DRAM）和儲存器（NAND 閃存）之間，填充這兩者之間逐漸變大的延遲差距。

ReRAM 的另一個潛在應(yīng)用是神經(jīng)形態(tài)計算（neuromorphic computing）。神經(jīng)形態(tài)計算使用了腦啟發(fā)的計算功能，可用于實現(xiàn)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)。但是，在 ReRAM 進(jìn)軍這些市場之前，內(nèi)存行業(yè)必須要先小規(guī)模地掌控 ReRAM。

本文關(guān)鍵詞：ReRAM   MCU

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