各種同步型SRAM比較 （二）
2017-08-21 15:06:24
四倍數(shù)據(jù)速率（QDRTM）型SRAM： 盡管推出了NoBL型架構(gòu)并使性能較之標(biāo)準(zhǔn)同步型SRAM有所改善，但某些系統(tǒng)對(duì)性能有著更高的要求。于是，賽普拉斯、Renesas、IDT、NEC和三星等幾家公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出了QDR型SRAM。QDR架構(gòu)旨在滿足那些要求低延遲且所需帶寬明顯高于NoBL型架構(gòu)提供能力的“高帶寬需求型”系統(tǒng)的需要。 QDR型SRAM與NoBL型SRAM最為顯著的差異之一是前者的讀端口和寫(xiě)端口是分開(kāi)的。這些端口可獨(dú)立工作，并支持并行的讀和寫(xiě)事務(wù)處理。QDR型 SRAM能夠以DDR傳輸速率（2倍）來(lái)支持兩項(xiàng)同時(shí)出現(xiàn)的事務(wù)處理，四倍數(shù)據(jù)速率（QDR）的名稱(chēng)便是由此得來(lái)的。 QDR型SRAM具有兩種基本類(lèi)型：即2字脈沖串和4字脈沖串。這兩種類(lèi)型之間的差異在于每項(xiàng)事務(wù)處理過(guò)程中所支持的脈沖串長(zhǎng)度。
QDR-II型SRAM：QDR- II型SRAM與QDR型SRAM相似，但在性能方面進(jìn)一步提升。與相同頻率的QDR型器件相比，QDR-II型SRAM所產(chǎn)生的總數(shù)據(jù)有效窗口面積大了 35[%]左右。另外，QDR-II型SRAM產(chǎn)品還比QDR型器件多了一個(gè)半延遲周期。這增加的半個(gè)時(shí)鐘周期可在對(duì)初始延遲影響極小的情況下提供高得多的頻率和帶寬。
DDR型SRAM ：如果QDR型SRAM面向的是具有平衡讀/寫(xiě)模式的應(yīng)用，DDR型SRAM架構(gòu)則主要針對(duì)那些需要進(jìn)行數(shù)據(jù)流式傳輸（例如，后隨多項(xiàng)寫(xiě)操作的多項(xiàng)讀操作）、且所需帶寬遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)同步型器件或NoBL型器件的應(yīng)用。DDR型SRAM具有出眾的整體總線利用率以及高得多的總帶寬，性能也因此得到了最大限度的提升。
和QDR型SRAM一樣，DDR型SRAM也有兩種格式：即2字脈沖串和4字脈沖串。究竟選擇哪一種取決于所需的數(shù)據(jù)顆粒度以及存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線寬度。
本文關(guān)鍵詞：DDR型
SRAM QDR-II型SRAM 四倍數(shù)據(jù)速率（QDRTM）型SRAM
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