下表針對(duì)快速SRAM、低功耗SRAM以及支持深度睡眠工作模式的快速SRAM進(jìn)行了各種參數(shù)對(duì)比：

　　


這些數(shù)字清楚地說明了與使用標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM對(duì)比，應(yīng)用“帶深度睡眠模式”的SRAM的優(yōu)勢。在SRAM大部分時(shí)間都處于待機(jī)狀態(tài)的應(yīng)用中，這種優(yōu)勢會(huì)更加明顯。

　　

舉個(gè)例子：某器件工作運(yùn)轉(zhuǎn)了一千個(gè)小時(shí)，SRAM的工作時(shí)間只占其中的20%.如果該SRAM是一款工作電壓為3.3V的快速SRAM，那它的工作功耗就是120瓦時(shí)(WH)，待機(jī)功耗為80 WH.總功耗將為200 WH.現(xiàn)在，如果我們使用具有深度睡眠模式的快速SRAM，工作功耗依然是120 WH，但待機(jī)功耗則銳減至0.06 WH.總功耗大約為121 WH.因此在該具體應(yīng)用中，深度睡眠選項(xiàng)可將功耗降低40%.然而在使用深度睡眠模式時(shí)(無論是MCU還是SRAM)，需要考慮的一個(gè)因數(shù)是進(jìn)入和退出深度睡眠模式所需的時(shí)間。如果這兩個(gè)工作周期的時(shí)間間隔比SRAM進(jìn)入和退出深度睡眠模式所用的時(shí)間還短，那該方法就不適合。

　　
至今為止，唯一推出支持片上電源管理的SRAM的公司是賽普拉斯半導(dǎo)體公司，該產(chǎn)品為PowerSnoozeTM.PowerSnooze SRAM采用54-TSOP和48-BGA等標(biāo)準(zhǔn)封裝，與普通快速SRAM一樣。為了使用深度睡眠功能，該產(chǎn)品還提供了一個(gè)特殊引腳(DS)，可將低電平有效切換至進(jìn)入深度睡眠模式。標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM上的同等引腳恰恰是無連接(NC)。因此只需極少的設(shè)計(jì)工作(只需連接一個(gè)額外的引腳)，便可將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM升級(jí)為PowerSnooze SRAM.

 

本文關(guān)鍵詞：異步SRAM  MCU  低功耗    快速SRAM
   
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