基于氮化鎵Micro-LED的高速通信芯片技術(shù)
2025-11-24 09:39:30
為應(yīng)對(duì)人工智能與巨量算力對(duì)“高速、低功耗、高可靠”通信的迫切需求，聚焦GaN基Micro-LED核心調(diào)制光源，由南大、復(fù)旦、廈大、吉大、南郵、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)展的器件設(shè)計(jì)和通信系統(tǒng)進(jìn)行技術(shù)鏈研發(fā)。團(tuán)隊(duì)成功攻克了Micro-LED效率與帶寬難以協(xié)同提升的核心難題：通過(guò)創(chuàng)新性開(kāi)發(fā)輕原子側(cè)壁鈍化技術(shù)，顯著提升了器件光電效率與可靠性；并系統(tǒng)優(yōu)化量子阱結(jié)構(gòu)，在實(shí)現(xiàn)GHz級(jí)高帶寬的同時(shí)保持了高光效。
基于此，研發(fā)出的Micro-LED芯片表現(xiàn)出色，帶寬高達(dá)近2.2GHz，并在自由空間光通信中創(chuàng)造了9.06Gbps的傳輸速率紀(jì)錄，將短距光互連的功耗顯著降低至7.34pJ/bit。此項(xiàng)成果系統(tǒng)性突破了Micro-LED在高帶寬與低功耗方面的技術(shù)瓶頸，為下一代高速光互連技術(shù)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
上一篇文章：用于汽車(chē)電池管理系統(tǒng)(BMS)的高精度ADC應(yīng)用方案
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