Everspin Technologies，Inc是設計制造MRAMSTT-MRAM的翹楚，其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性。完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。  

MR1A16A概述
MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存儲器并口mram，組織為131072個16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可自動在斷電時保護數(shù)據(jù)，以防止在不符合規(guī)定的電壓情況下進行寫操作。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數(shù)據(jù)和程序的應用，MR1A16A是理想的存儲器解決方案。
 
MR1A16A提供小尺寸的48引腳（BGA）封裝和44引腳薄型小外形封裝（TSOP Type2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。MR1A16A在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供商用（0至+70℃），工業(yè)（-40至+85℃），擴展（-40至+105℃）和AEC-Q1001級（-40至+125℃）工作溫度范圍選項。Everspin MR1A16A MRAM可替換賽普拉斯FM28V202A鐵電FRAM。Everspin代理英尚微提供驅(qū)動例程等技術支持。
 
 
特征
•35ns的快速讀/寫周期
•SRAM兼容時序，無需重新設計即可使用現(xiàn)有SRAM控制器
•無限的讀寫耐力
•數(shù)據(jù)在超過20年的溫度下保持非易失性
•一個存儲器替代了系統(tǒng)中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，從而實現(xiàn)了更簡單，更高效的設計
•用MRAM代替電池供電的SRAM解決方案，以提高可靠性
•3.3V電源
•斷電時自動數(shù)據(jù)保護
•商業(yè)，工業(yè)，擴展溫度
•AEC-Q1001級選項
•所有產(chǎn)品均符合MSL-3濕度敏感度等級
•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封裝


MR1A16A型號表

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs) / Tray
2Mb	128K x 16	MR1A16AMA35	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16AMA35	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16ACMA35	48-BGA	3.3v	Industrial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16AYS35	44-TSOP2	3.3v	Commercial	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	270
2Mb	128Kx16	MR1A16ACYS35	44-TSOP2	3.3v	Industrial	270
2Mb	128Kx16	MR1A16ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AVYS35	44-TSOP2	3.3v	Extended	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AVYS35R	44-TSOP2	3.3v	Extended	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AVMA35	48-BGA	3.3v	Extended	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16AVMA35R	48-BGA	3.3v	Extended	2000

本文關鍵詞：MR1A16A  

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