據(jù)了解，三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元（約43.5億美元），以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。
                              

      Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對(duì)西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。
      三星目前只使用西安廠腹地約34萬(wàn)坪中的20%，且現(xiàn)有設(shè)備的產(chǎn)量已達(dá)理論最大值。設(shè)備業(yè)者認(rèn)為，三星西安廠啟動(dòng)3年后的現(xiàn)在，以投入晶圓為基準(zhǔn)計(jì)算，其3D NAND Flash晶圓月產(chǎn)能為12萬(wàn)片。
專家推測(cè)，西安廠與韓國(guó)華城廠L12、L16并列三星NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，平澤廠將于2017年第1季正式稼動(dòng)，加上西安廠第二期稼動(dòng)后，三星勢(shì)必需調(diào)整其產(chǎn)能分配。半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士認(rèn)為，三星3D NAND Flash未來(lái)生產(chǎn)很可能以大陸西安廠及韓國(guó)平澤廠為主，并將其目前最大NAND Flash工廠L12部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)系統(tǒng)LSI或DRAM等產(chǎn)品，逐漸降低NAND Flash產(chǎn)量。

                               

      DRAMeXchange分析三星產(chǎn)能移轉(zhuǎn)狀況，指出L12于2016年第4季晶圓月均產(chǎn)能達(dá)19萬(wàn)片高峰后，2017年第1季預(yù)估為17萬(wàn)片，第3季以后將減至12萬(wàn)片；三星NAND Flash生產(chǎn)基地將階段性轉(zhuǎn)移至平澤廠及西安廠。
     專家指出，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)2017年起進(jìn)入前所未有的超級(jí)周期（Super Cycle）是促使三星增加設(shè)備投資的主因。存儲(chǔ)器市場(chǎng)一般以3~4年為周期，交替出現(xiàn)熱況與萎縮，超級(jí)周期指出現(xiàn)長(zhǎng)期熱絡(luò)的狀況。韓國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)者表示，過(guò)去存儲(chǔ)器應(yīng)用主要限于電腦、智能手機(jī)等裝置，可直接掌握市場(chǎng)需求變化，隨近來(lái)包括服務(wù)器、汽車、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)與人工智能（AI）等領(lǐng)域市場(chǎng)擴(kuò)大，對(duì)NAND Flash需求也進(jìn)一步提升。
    預(yù)估，2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)853億美元，較2016年773億美元成長(zhǎng)10.3%，至2021年可望擴(kuò)大至1099億美元的規(guī)模，年均成長(zhǎng)率將達(dá)7.3%。

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