以紫光為代表的中國(guó)公司正在斥資數(shù)百億美元投入NAND、DRAM等存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，2018年將推出國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存，希望能夠達(dá)到國(guó)家要求的芯片自給率要求。
      但是在NAND范疇，在研發(fā)和生產(chǎn)上中國(guó)公司比外國(guó)公司已經(jīng)晚了20多年，更大的希望還是寄托于新一代存儲(chǔ)技術(shù)上。
　　中芯國(guó)際（SMIC）日前正式出樣40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）芯片，更先進(jìn)的28nm工藝版也即將到來，這種新型存儲(chǔ)芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
　　在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，NAND閃存是目前的絕對(duì)主流，保守點(diǎn)說三五年內(nèi)它都會(huì)是電子設(shè)備存儲(chǔ)芯片的主流選擇，但研究人員早已開始探索研發(fā)新一代非易失性存儲(chǔ)芯片了， Intel、美光研發(fā)的3D XPoint之前有說是基于PCM相變存儲(chǔ)，也是新一代存儲(chǔ)芯片范疇了，而今天說的ReRAM（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）更是代表性的非易失性存儲(chǔ)器。
　　雖然它的名字中帶RAM，不過ReRAM其實(shí)更像NAND閃存那樣用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，但是它的性能更強(qiáng)，密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片（200mm2左右）即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ)，還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。
　　提及ReRAM，不得不提的一家公司就是Crossbar，根據(jù)該公司資料，Crossbar技術(shù)首先由出生于中國(guó)的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國(guó)清華大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位，和德克薩斯州萊斯大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位。盧博士在ReRAM領(lǐng)域擁有十二年的研究經(jīng)驗(yàn)，他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究。他是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專家，包括基于雙端電阻開關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導(dǎo)體納米線設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn)。
　　2016年這家公司獲得了8000萬美元的風(fēng)投，中國(guó)公司也參與在內(nèi)，同時(shí)Crossbar去年3月份也宣布進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)，他們的合作伙伴就是SMIC中芯國(guó)際，將基于后者的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。根據(jù)該公司副總裁Sylvain Dubois所說，2016年內(nèi)中芯國(guó)際已經(jīng)開始給客戶出樣40nm工藝的ReRAM芯片，實(shí)現(xiàn)了該公司之前2016年內(nèi)推出ReRAM的計(jì)劃。
　　不僅如此，更先進(jìn)的28nm工藝版ReRAM芯片也將在2017年上半年問世，只是Sylvain Dubois拒絕表態(tài)是否還是由SMIC生產(chǎn)，還是交給其他代工廠。
  

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