串行SRAM器件是獨(dú)立的易失性存儲器解決方案，可以幫助創(chuàng)建更緊湊的設(shè)計(jì)，同時(shí)為當(dāng)前的MCU添加功能。高性能SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時(shí)間，非常適合涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖、數(shù)據(jù)記錄、音頻、視頻和其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型功能的應(yīng)用。支持串行外設(shè)接口(SPI)、串行雙I/O接口(SDI)和串行四I/O™(SQI™)總線模式。
 
串行SRAM的主要優(yōu)點(diǎn)
•高速串行接口架構(gòu)
•1、2和4位SPI協(xié)議
•與傳統(tǒng)并行SRAM接口相比，低引腳數(shù)接口
•無需昂貴的微控制器升級的低成本RAM擴(kuò)展
•低功耗
 
SRAM不需要像 DRAM 那樣的周期刷新，因此可以提供更好的性能。DRAM單元由存取晶體管和電容器組成。數(shù)據(jù)作為電荷存儲在電容器中，但電荷會(huì)隨著時(shí)間的推移而泄漏。DRAM 必須定期刷新以保存存儲的數(shù)據(jù)。刷新會(huì)對 DRAM 性能和功耗產(chǎn)生負(fù)面影響。因此SRAM 通常也比 DRAM 更快且功耗更低。
 
存儲器在高速性能并非最重要因素的其它存儲器（DRAM、閃存等）中，串行接口已經(jīng)取代了并行接口。由于存在需要SRAM的應(yīng)用，串行SRAM在SRAM市場中一直處于小眾地位。在空間非常有限的特定應(yīng)用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案。


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