MB85RQ4ML是一種FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，采用524,288字×8位的配置，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術來形成非易失性存儲單元。采用四路串行外設接口（QSPI），可使用四個雙向引腳（四路I/O）實現(xiàn)高帶寬，例如以54MB/s的速度進行讀寫。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。
 
MB85RQ4ML中使用的存儲單元可用于10¹³個讀/寫操作，與Flash存儲器和E²PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比，有了顯著改進。MB85RQ4ML不需要很長時間就可以寫入閃存或E²PROM之類的數(shù)據(jù)。能夠在沒有任何等待時間的情況下以高帶寬寫入數(shù)據(jù)，并且非常適合網絡，游戲，工業(yè)計算，相機，RAID控制器等。富士通代理英尚微電子支持提供樣品及產品應用解決方案等技術服務。
 
■特點
•位配置：524,288字×8位
•串行外圍設備接口：SPI（串行外圍設備接口）/四路SPI對應于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•寫支持：單數(shù)據(jù)輸入/四數(shù)據(jù)輸入/四地址和數(shù)據(jù)輸入/QPI模式
•讀取支持：單數(shù)據(jù)輸出/快速單數(shù)據(jù)輸出/快速四數(shù)據(jù)輸出/快速四地址輸入和數(shù)據(jù)輸出/QPI模式/XIP模式
•工作頻率：108MHz（正常的READ命令除外）
•高耐用性：每字節(jié)1013次讀/寫
•數(shù)據(jù)保留：10年（+85°C），95年（+55°C），超過200年（+35°C）
•工作電源電壓：1.7V至1.95V（單電源）
•功耗：工作電源電流20.0mA（典型值@四I/O，108MHz）待機電流70μA（典型值），400μA（最大）
•工作環(huán)境溫度范圍：-40°C至+85°C
•封裝：16針塑料SOP（FPT-16P-M24）

 
■串行外圍接口（SPI）
•SPI
MB85RQ4ML作為SPI的從設備。SPI使用SI串行輸入引腳在SCK的上升沿將操作碼，地址或數(shù)據(jù)寫入器件。SO串行輸出引腳用于在SCK的下降沿從器件讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)寄存器。
 
•Quad SPI
MB85RQ4ML作為Quad SPI的從設備。MB85RQ4ML支持使用“FRQO”，“FRQAD”，“WQD”和“WQAD”命令的Quad SPI模式，使用“EQPI”和“DQPI”命令的QPI模式以及XIP模式。當使用Quad SPI模式指令時，SI，SO，WP和HOLD引腳變?yōu)殡p向IO0，IO1，IO2和IO3引腳。

本文關鍵詞： FRAM

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