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everspinEverspin MRAM是一種具有革命性的存儲器,其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu),來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息,以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來的一家獨立公司。2006年,Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日,Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領(lǐng)域。
Everspin的新xSPI產(chǎn)品系列基于擴展的串行外設(shè)接口,這是用于非易失性存儲設(shè)備的最新JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。它基于Everspin獨特的工業(yè)STT-MRAM技術(shù)。這些產(chǎn)品提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數(shù)的SPI兼容總線接口,時鐘頻率高達(dá)200MHz。這些持久性內(nèi)存MRAM設(shè)備在單個1.8V電源上運行,并通過八個I/O信號提供高達(dá)400MBps的讀取和寫入速度。開啟了通用存儲器應(yīng)用解決方案的新時代,取代了SRAM、BBSRAM、NVSRAM和NOR設(shè)備等產(chǎn)品,面向工業(yè)自動化、過程控制、仿真、汽車和運輸、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場。
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